器件配置 - 2023.2 简体中文

对于涉及资源、性能、功耗和封装要求的应用而言，器件选择是至关重要的步骤。建议选择满足您的要求的最小的器件。

PDM 支持 AMD Kria™ K26、K24、UltraScale+（RFSoC 除外）和 Versal 器件。Versal 器件选择包括产品系列、器件、器件等级、封装、速度等级、温度等级和静态筛选选项。您也可以在器件选择期间，初始化 V_ccint 电压和工艺。Kria 器件选择包括产品系列、开发板、器件和等级，工艺仅有一个选项可供选择。每个器件都有一组独有的功能块，所选封装可确定可用的 I/O 和收发器。欲知详情，请参阅目标产品系列的产品选型指南。Versal 器件支持以下温度等级，各等级对功耗的影响不尽相同。

• 工业级操作温度范围为 -40°C 到 100°C。
• 扩展级操作温度范围为 0°C 到 100°C。
• Q 级操作温度范围为 -40°C 到 125°C。
• 军工企业级操作温度范围为 -55°C 到 125°C。
  提示： AMD 器件的某些速度等级可在 100°C 到 110°C 的范围内运行，但运行时间不超过其寿命的 3%。如需了解更多信息，请参阅 利用温度漂移扩展热处理解决方案(WP517) 和 Versal 架构和产品数据手册：概述(DS950)。

AMD 独特的功耗分箱策略支持工业级器件比扩展级器件实现更低的静态功耗。Versal 器件可提供增强型电压缩放选择，这对于在这些器件上实现最高的单位功耗性能至关重要。Versal 器件支持以下工作模式：

• 高性能核工作电压为 0.88 V (V_HP)
• 中等或均衡型功耗或性能核的工作电压为 0.80 V (V_MP)
• 低功耗核的工作电压为 0.70 V (V_LP)

图 1. “Summary”页面上的器件选择

Process（工艺）表示器件制造工艺变化，它显著影响漏电功耗。工艺变化模型是常用的行业方法，可在不违反器件规范的前提下满足产出需求。器件制造期间，硅片工艺会改变晶体管特性，导致器件之间出现差异。Typical（典型值）是器件同时满足性能和功耗规格的中间界限，而“Maximum”（最大值）则表示最差情况下的工艺变化。