alert_n

UltraScale アーキテクチャ PCB デザイン ユーザー ガイド (UG583)

Document ID
UG583
Release Date
2023-11-14
Revision
1.27 日本語

コンポーネント インターフェイスを使用する Zynq UltraScale+ MPSoC デザインでは、PS_DDR_ALERT_N ピンを DDR4 デバイスの ALERT_N ピンにフライバイ配線で接続し、50 プルアップ抵抗を使用して V DD に終端します。 DIMM を使用する Zynq UltraScale+ MPSoC デザインでは、PS_DDR_ALERT_N ピンをコネクタの ALERT_N ピンに接続します。 PL ベースのデザインでは、コントローラーは ALERT_N ピンを生成しませんが、DDR4 コンポーネントの ALERT_N 信号をフライバイ配線でまとめて接続し、50 プルアップ抵抗を使用して V DD に終端する必要があります。 DIMM を使用する PL ベースのデザインでは、ALERT_N ピンはコネクタ側でフロートのままにします。ALERT_N 信号には、スキューや長さの整合の要件はありません。

表: DDR4 SDRAM フライバイ配線のアドレス、コマンド、制御信号のインピーダンス、長さ、間隔に関するガイドライン に、DDR4 SDRAM フライバイ配線のアドレス、コマンド、制御信号のインピーダンス、長さ、間隔に関するガイドラインを示します。

表 2-12: DDR4 SDRAM フライバイ配線のアドレス、コマンド、制御信号のインピーダンス、長さ、間隔に関するガイドライン

パラメーター

L0
(デバイス
引き出し部)

L1
(メイン PCB)

L2
(DRAM
引き出し部)

L3

L4
(R TT へ)

単位

トレース タイプ

ストリップ
ライン

ストリップライン

ストリップライン

ストリップライン

ストリップライン

シングルエンド インピーダンス Z 0

50±10%

36±10%

50±10%

50±10%

39±10%

トレース幅

4.0

7.0

4.0

4.0

6.0

mil

トレース長

0.0 ~ 1.5 (1) (2)

0.0 ~ 4.0

0.0 ~ 0.1

0.35 ~ 0.75

0 ~ 1

inch

アドレス、コマンド、制御信号間の間隔 (最小値)

4.0

8.0 (2)

4.0

8.0

8.0

mil

クロック信号との間隔 (最小値)

8.0

20

8.0

20

20

mil

ほかのグループ信号との間隔
(最小値)

8.0

30

30

30

30

mil

PCB ビアの最大数

7

注記:

1. メモリの一般的な配線ガイドライン の第 2 項を参照してください。

2. 引き出し線領域を 1.5 インチより長くする必要がある場合は、L1 の間隔を 12.0 に変更します。

DDR4 SDRAM のクラムシェル トポロジでは、制御、アドレス、コマンド信号に交互フライバイ トポロジを使用することを推奨します。交互層の配線により、各メモリ デバイスで適切に信号負荷のバランスが保たれます。FPGA が上層に配置された この図 に示すように、上層のデバイス 1、3、5、7、9 への内部層の配線は上層近くにあり、下層のデバイス 2、4、6、8 への内部層の配線は下層近くにあります。

図 2-24: DDR4 SDRAM クラムシェルのアドレス、コマンド、制御トポロジ

X-Ref Target - Figure 2-24

X18996-Figure_2-64.jpg

注記: 終端抵抗は上層または下層のどちらにも配置できます。

DDR4 SDRAM クラムシェル トポロジは、上層の DRAM 用と下層の DRAM 用に 1 つずつ、合計 2 つの個別チップ セレクト (CS) 信号を利用します。これらの信号は、 この図 および 表: DDR4 SDRAM フライバイ配線のアドレス、コマンド、制御信号のインピーダンス、長さ、間隔に関するガイドライン に定義した標準のフライバイ トポロジと同様に配線する必要があります。

表: DDR4 SDRAM クラムシェル配線のアドレス/コマンド/制御信号のインピーダンス、長さ、幅、間隔に関する ガイドライン に、DDR4 SDRAM クラムシェル配線のアドレス、コマンド、制御信号のインピーダンス、長さ、間隔に関するガイドラインを示します。L2 セグメントに追加される長さに注意してください。

表 2-13: DDR4 SDRAM クラムシェル配線のアドレス/コマンド/制御信号のインピーダンス、長さ、幅、間隔に関する
ガイドライン

パラメーター

L0 FPGA
引き出し部

L1

L2

L3

L4

L5

L6 V TT スタブ

単位

層 (推奨)

上位内部層

上位内部層

下位内部層

上位内部層

最上位

最下位

最下位

インピーダンス Z 0

50

50

50

50

50

50

39

長さ

0.0 ~ 1.5 (1)

0.0 ~ 4.0

L3+0.2

0.45 ~ 0.85

ミラーリングされている場合、L4 = L5。ミラーリングされていない場合、可能な限り短く

0.95

inch

4.0

4.0

4.0

4.0

4.0

4.0

6.0

mil

グループ内の間隔

4.0

8.0 (1)

8.0

8.0

8.0

8.0

8.0

mil

クロックとの間隔

8.0

20

20

20

20

20

20

mil

ほかのグループとの間隔

8.0

30

30

30

30

30

30

mil

注記:

1. 引き出し線領域を 1.5 インチより長くする必要がある場合は、L1 の間隔を 12.0 に変更します。

重要: クロストークの問題が発生しないようにするため、できるだけ多くのグランド ビアを設けます。 メモリの一般的な配線ガイドライン の第 20 項を参照してください。